RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3326
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link