RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
61
Por volta de -126% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
16.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
3731
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link