RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
54
Por volta de -184% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3521
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link