RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3663
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link