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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
54
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
13.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2735
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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