RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
54
Por volta de -145% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
13.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2648
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link