RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2999
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link