RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
17.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3773
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link