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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
17.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
4152
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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