RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
54
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3041
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link