RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Comparar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
8.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2234
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link