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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
14.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3686
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
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