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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
9.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2434
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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