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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
54
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
2653
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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