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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
54
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
3184
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
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