RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Comparar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1578
2083
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link