RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
72
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
1998
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link