RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
72
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
3356
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link