RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
72
Por volta de -213% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
2723
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link