RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
72
Por volta de -177% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
15.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
3332
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link