RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
72
Por volta de -243% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
14.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
3077
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link