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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
72
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
2832
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
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