RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
72
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,938.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
72
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,938.7
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
677
2271
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link