RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
64
Por volta de -220% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3088
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link