RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
64
Por volta de -33% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
48
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2852
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link