RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
64
Por volta de -68% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2856
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link