RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
64
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2706
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link