RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
64
Por volta de -156% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
17.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3942
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link