RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
17.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
64
Por volta de -156% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
4039
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link