RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
64
Por volta de -113% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
10.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2462
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link