RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
64
Por volta de -121% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
9.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2407
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link