RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
64
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
9.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2496
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link