RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
64
Por volta de -31% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
49
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
2374
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link