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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
64
Por volta de -83% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3221
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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