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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
64
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
6.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
1493
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
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