RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2813
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 994050 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Jinyu 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link