RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
42
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
41
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2395
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link