RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
42
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
40
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3015
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link