RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2426
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link