RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3316
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link