RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
42
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
37
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2804
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link