RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
42
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.3
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
17.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3879
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link