RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
42
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
20
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
15.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3726
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link