RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
42
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3665
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link