RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
2326
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link