RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.5
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
6.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
1983
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link