RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3552
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link