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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
74
Por volta de 43% menor latência
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
74
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
1616
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
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