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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Pontuação geral
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
45
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2226
2414
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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