RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2484
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link